硒化銦，英文名稱為indium selenide，CAS號(hào)為12056-07-4，分子式為In2Se3，分子量為466.516，為黑色晶體或暗黑色鱗片狀物質(zhì)，常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥，避免光，明火，高溫，溶于強(qiáng)酸中易分解。
物質(zhì)結(jié)構(gòu)
通過In-Te熔融體的X射線衍射研究指出有六種二元化合物，In4Te3、InTe、In3Te4、In2Te3、In3Te5、In2Te5。其中研究最多的是InSe和In2Se3。
In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五種晶體結(jié)構(gòu)。
α-硒化銦晶體（alpha indium selenide）的材料具有鐵電特性，克服了常規(guī)鐵電材料的局限性，常規(guī)鐵電材料通常用作絕緣體，不允許電流通過。α-硒化銦晶體材料可以成為晶體管元件必需的半導(dǎo)體，又可以成為鐵電RAM所需的室溫下穩(wěn)定、只需低電壓的鐵電部件。
研究進(jìn)展
2016年11月，曼徹斯特大學(xué)和諾丁漢大學(xué)的研究人員合成納米級(jí)超薄硒化銦，僅有幾層原子的厚度，并表現(xiàn)出優(yōu)于硅的半導(dǎo)體性能，是未來替代硅制作電子芯片的理想材料。
